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存储芯片拐点已至,或提振价格

| |2023-11-11 04:40

一、事件
今年存储市场经历了剧烈的景气度转化,一季度和二季度价格大幅下行,三季度价格触底,目前看到价格迅速回升,同时,看到手机端需求在复苏。

全球最大的两家内存芯片制造商近期的业绩电话会议似乎传达了一个信号,该行业的疲软需求可能终于触底。“三星电子第三季的营业利润比第二季度增长了262.6%。在此之前,一季度的营业利润比前一季度下降了85.15%,二季度的营业利润比一季度小幅提高了4.68%。““SK海力士在季度报告中表示,动态随机存储器(DRAM)部门在今年前两个季度出现亏损后,第三季度恢复了盈利。”指引显示终端市场需求开始出现反弹,助推存储市场迈入全面复苏阶段。

二、简介
存储芯片,也叫半导体存储器,是以半导体电路作为存储媒介的存储器,用于保存二进制数据的记忆设备。存储芯片是半导体产业的重要分支,约占全球半导体市场的四分之一至三分之一。

存储芯片行业上游主要为硅片、光刻胶、CMP抛光液等原材料以及光刻机、PVD、CVD、刻蚀设备、清洗设备和检测与测试设备等设备;中游为存储芯片制造及封装,常见的存储芯片包括DRAM、NAND闪存芯片和NOR闪存芯片等;下游为消费电子、信息通信、高新科技技术和汽车电子等应用领域。

半导体存储芯片的最大贡献是解决了海量信息的存储问题。电子计算机的存储器最初是机电装置(如继电器),后为磁性介质(如磁鼓、磁带、磁芯)。但磁性介质存在体积大、质量大、存储量小的弊端。

1967年7月,同时发明了两种半导体存储器:一是在IBM工作的登纳德发明的动态随机存取存储器(DRAM),二是在美国贝尔实验室工作的华裔科学家施敏和韩裔科学家姜大元发明的非易性半导体存储器(NVSM)。此后,日本东芝公司舛冈士雄的闪存芯片(Flash Memory)正是在NVSM原型基础上开发出来的。1969年,Intel研制成功64bit双极静态随机存取存储器(SRAM)芯片C3101。几个重量级技术的成功开发开创了半导体存储器的先河,成为存储芯片开发的奠基时期。

三、分类
依据存储芯片的功能、读取数据的方式、数据存储的原理大致区分为易失性存储器和非易失存储器,易失性存储芯片在所在电路断电后,将无法保存数据,代表性产品有DRAM和SRAM,其中DRAM是绝对主流,SRAM虽然读写速度较快,但因为集成度较低,价格相对昂贵,因此多用于CPU的一、二级缓存。非易失性存储芯片在所在电路断电后,仍保有数据,代表性产品为NAND FLASH和NOR FLASH。

- 挥发性存储芯片分为 DRAM 和 SRAM:DRAM 具有读写速度慢、成本低的特点,常用于容量大的主存,如 PC、手机、服务器内存等,也是整个存储芯片市场占比最大的产品;SRAM 则具有制造成本高、读写速度快的特点,常用作高速缓冲存储器,如 CPU 的一、二 级缓存等,全球市场规模相对较小,仅约数亿美元。

- 非挥发性存储芯片中 Flash(闪存)芯片占比最大,具体又分为 NOR Flash 和 NAND Flash:NOR Flash 即代码型闪存芯片,特点在于读取速度快、可靠性强、寿命长,以及地址线和数据线分开因而应用程序可以直接在 NOR Flash运行,主要用来存储代码及少量数据,全球市场规模约25亿美元;NAND Flash即数据型闪存芯片,全球市场规模约 550 亿美元,其中主要为大容量 NAND Flash,包含 MLC/TLC 2D NAND 或 3D NAND,擦写次数从几百次至数千次,多应用于大容量数据存储(如固态硬盘 SSD),而占比较小的小容量 NANDFlash 主要是 SLC 2D NAND,可靠性更高,擦写次数达到数万次以上。

四、拐点
万和证券指出,存储芯片具备功能同质化和价格透明度高的特征,是终端电子产品中的基础核心部件,其价格所反映的供需变动,对于电子行业市场景气度有着较为有效的指引作用。美国对华在存储芯片领域的设备管制的放松,将有助于全球半导体供应链的稳定,存储芯片价格触底反弹也预示着全球半导体调整周期尾声将至,整个电子市场有望迎来向上拐点。当前时点,建议积极布局存储芯片赛道和与其息息相关的下游消费电子板块。

中原证券表示,存储周期底部渐显,四季度有望触底回升。在国际地缘政治冲突加剧的背景下,国内存储厂商国产替代进入加速成长期

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